據(jù)外媒報(bào)道，總部位于美國(guó)的Solar-Tectic公司，日前在賓漢姆頓大學(xué)和Blue Wave Semiconductor的協(xié)助下，獲得了全新薄膜晶體管（TFT）技術(shù)專利，該技術(shù)將有助于提高有機(jī)發(fā)光二極管（OLED）、有源矩陣OLED（ AMOLEDs）、液晶設(shè)備（LCD）顯示器以及太陽(yáng)能電池設(shè)備的效率并降低其成本。

與用于制造驅(qū)動(dòng)顯示器像素并需要昂貴的準(zhǔn)分子激光退火的TFT的傳統(tǒng)低溫多晶硅（LTPS）工藝不同，這種新工藝是由金屬誘導(dǎo)結(jié)晶（MIC）衍生而來(lái)的，并且使用改性液相外延電子束工藝，能夠在低至232°C的溫度下，在金屬氧化物，如氧化鎂緩沖基板上沉積薄金屬層，然后沉積最終的汽化硅（Si）層并結(jié)晶成約50至100nm厚的薄膜，整個(gè)流程沒(méi)有任何金屬殘余物。

通過(guò)使用拉曼光譜和X射線光譜對(duì)Si膜進(jìn)行的分析顯示出了高達(dá)188cm2/Vs的電子遷移率（而傳統(tǒng)的LTPS電子遷移了則為100cm2/Vs）。

研究人員希望通過(guò)使用ST和BWS定向的MgO（111）薄膜緩沖基板進(jìn)一步提高晶體尺寸，從而進(jìn)一步提高電子遷移率，最終提高設(shè)備效率并有效降低成本。