閃存時代，數(shù)據(jù)中心的存儲以什么形式存在才最好？誰是閃存時代的最大贏家？且看支持NVMe非易失性存儲的杰和N50D-FN高端存儲服務(wù)器主板，怎么應(yīng)對存儲需求。
SAS是磁盤時代一個非常優(yōu)良的接口。從設(shè)計(jì)之初就將數(shù)據(jù)怎樣寫進(jìn)磁盤進(jìn)行了全面考慮，通過HBA卡組織多塊硬盤在一起，形成完整的存儲池；SAS接口帶寬已經(jīng)發(fā)展到12Gb/s，隨著光纖SAS技術(shù)發(fā)展，其在存儲陣列中的應(yīng)用越來越多，SAS確實(shí)是磁盤的完美搭檔。
但SAS的體系架構(gòu)過于復(fù)雜，對于追求更簡單、高效、高性能且可靠性更高的閃存而言，SAS并非好選擇。于是，便催生了固態(tài)硬盤接口從SAS/SATA向PCIe的轉(zhuǎn)換，但物理接口轉(zhuǎn)換到PCIe后，數(shù)據(jù)傳輸協(xié)議使用什么？
NVMe是最新的非易失性存儲規(guī)范技術(shù)，也是一種超越AHCI控制模式，適合PCIe接口的SSD控制模式。
面向?qū)ψx寫速率有極高要求的數(shù)據(jù)中心、高效能虛擬化、密集型云計(jì)算等應(yīng)用，支持最新NVMe規(guī)范的杰和N50D-FN服務(wù)器主板最多可支持8塊2.5寸PCIe SSD接入，獲取百萬級IPOS性能，消除SAS/SATA存儲瓶頸，在加速關(guān)鍵應(yīng)用的響應(yīng)速度上起到了極大作用。
采用了NVMe控制模式的杰和N50D-FN服務(wù)器主板可以為存儲帶來哪些好處？
1、更低的延時
支持NVMe規(guī)范標(biāo)準(zhǔn)的，因?yàn)榫喠苏{(diào)用方式，過PCIe通道直接連接CPU，執(zhí)行命令時不需要讀取寄存器，降低了讀寫延時。
如圖示：從應(yīng)用到閃存盤的數(shù)據(jù)傳輸過程中，到NVMe驅(qū)動器的路徑要比到SAS驅(qū)動器的路徑短。簡化的路徑縮短了數(shù)據(jù)傳輸?shù)闹虚g環(huán)節(jié)，NVMe相對于SCSI/SAS在低延遲的表現(xiàn)非常明顯。
2、更高的傳輸性能
性能不錯的SATA接口SSD，在隊(duì)列深度上可以達(dá)到32，然而這也是AHCI所能做到的極限。而NVMe標(biāo)準(zhǔn)下，最大的隊(duì)列深度可達(dá)64000，讀寫隊(duì)列深度是AHCI的64000倍，提高了IOPS（每秒讀寫次數(shù)）性能。
上圖IPOS（每秒讀寫次數(shù)）的測試，NVMe的優(yōu)勢更為明顯。在4K隨機(jī)讀/寫負(fù)載中，PCIe/NVMe帶來6倍于6Gb/秒SATA的吞吐量提升。在隊(duì)列深度設(shè)為128時，4K全讀負(fù)載的IOPS將近50萬。而這是SAS/SATA完全無法做到的。
3、更低的功耗控制
NVMe固態(tài)硬盤，隨機(jī)讀取性能比之前的高端SATA固態(tài)硬盤快10倍以上。而且NVMe采用獨(dú)立的功耗管理，可以在空閑時進(jìn)入低功耗狀態(tài)。
未來在針對關(guān)鍵業(yè)務(wù)(數(shù)據(jù)庫、高性能計(jì)算、電子商務(wù)等)存儲市場上，閃存陣列仍有很大的發(fā)展空間，選擇杰和N50D-FN服務(wù)器主板，用最新的NVMe技術(shù)輕松應(yīng)戰(zhàn)。
8月活動公告：
2016年8月24-26日，第五屆深圳國際嵌入式系統(tǒng)展（EMBEDDED EXPO 2016）將在深圳會展中心隆重舉行。深圳會展中心3號館，展位3B08，杰和邀您共聚。
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